4月17日，长电科技经由过程官方公家号公布，已经乐成完成基在玻璃通孔（TGV）布局与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证。这次验证经由过程测试布局试制与实测评估，初次证明玻璃基底三维集成无源器件的可制造性与显著机能上风，为5G和6G射频前端与体系级封装（SiP）优化提供要害工程化路径。

据长电科技官方披露，本次技能冲破焦点于在“玻璃基+三维集成”的架构立异。公司以TGV构建垂直互连骨架，于玻璃基板上直接集成电感、电容等无源元件，替换传统硅基平面布局；同时交融PSPI再布线工艺，实现程度标的目的高密度邃密布线，形成完备三维互连收集。实测数据显示，进级后的3D电感品质因数（Q值）较划一电感值的平面布局晋升靠近50%，高频损耗年夜幅降低，总体机能周全优在硅基IPD技能线路。

从技能价值看，玻璃基TGV-IPD方案有用解决传统硅基射频器件的高频损耗年夜、集成度低、小型化受限等痛点。玻璃基板具有低介电损耗、高绝缘性、低成本等自然上风，搭配TGV三维互连，可年夜幅晋升射频旌旗灯号传输效率与不变性，助力射频模组实现轻薄化、高机能与高集成度的同一。这一结果不仅弥补海内玻璃基射频IPD工程化空缺，更标记长电科技于进步前辈封装射频赛道形成差异化壁垒。

财产层面，5G商用深化与6G技能预研鞭策射频前端向超宽带、低损耗、小型化快速迭代，传统硅基IPD已经难以满意高频场景需求。长电科技这次工艺验证乐成，率先实现玻璃基三维射频无源器件的工程化落地，为射频模组厂商提供全新技能选择，有望加快鞭策5G毫米波、6G太赫兹通讯和AI射频前真个财产化进程。

作为领先的封测企业，长电科技最近几年连续加码进步前辈封装技能研发，于SiP、AiP、2.5D/3D封装等范畴已经形成完备技能结构。这次TGV-IPD冲破，是公司继硅光、CPO技能后的又一要害里程碑，进一步巩固其于射频进步前辈封装范畴的领先职位地方。

4月17日，长电科技经由过程官方公家号公布，已经乐成完成基在玻璃通孔（TGV）布局与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证。这次验证经由过程测试布局试制与实测评估，初次证明玻璃基底三维集成无源器件的可制造性与显著机能上风，为5G和6G射频前端与体系级封装（SiP）优化提供要害工程化路径。

据长电科技官方披露，本次技能冲破焦点于在“玻璃基+三维集成”的架构立异。公司以TGV构建垂直互连骨架，于玻璃基板上直接集成电感、电容等无源元件，替换传统硅基平面布局；同时交融PSPI再布线工艺，实现程度标的目的高密度邃密布线，形成完备三维互连收集。实测数据显示，进级后的3D电感品质因数（Q值）较划一电感值的平面布局晋升靠近50%，高频损耗年夜幅降低，总体机能周全优在硅基IPD技能线路。

从技能价值看，玻璃基TGV-IPD方案有用解决传统硅基射频器件的高频损耗年夜、集成度低、小型化受限等痛点。玻璃基板具有低介电损耗、高绝缘性、低成本等自然上风，搭配TGV三维互连，可年夜幅晋升射频旌旗灯号传输效率与不变性，助力射频模组实现轻薄化、高机能与高集成度的同一。这一结果不仅弥补海内玻璃基射频IPD工程化空缺，更标记长电科技于进步前辈封装射频赛道形成差异化壁垒。

财产层面，5G商用深化与6G技能预研鞭策射频前端向超宽带、低损耗、小型化快速迭代，传统硅基IPD已经难以满意高频场景需求。长电科技这次工艺验证乐成，率先实现玻璃基三维射频无源器件的工程化落地，为射频模组厂商提供全新技能选择，有望加快鞭策5G毫米波、6G太赫兹通讯和AI射频前真个财产化进程。

作为领先的封测企业，长电科技最近几年连续加码进步前辈封装技能研发，于SiP、AiP、2.5D/3D封装等范畴已经形成完备技能结构。这次TGV-IPD冲破，是公司继硅光、CPO技能后的又一要害里程碑，进一步巩固其于射频进步前辈封装范畴的领先职位地方。